МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Semiconductor diodes.
Terms, definitions and letter symbols

Взамен
ГОСТ 18216-72,
ГОСТ 18994-73,
ГОСТ 20004-74,
ГОСТ 20005-74,
ГОСТ 20331-74,
ГОСТ 21154-75

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29 ноября 1982 г. № 4482 дата введения установлена

01.01.84

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов.

Термины и русские буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полупроводниковые диоды, предназначенные для экспортных поставок.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено, и соответственно в графе «Определение» поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

В стандарте имеется 2 приложения. Приложение 1 содержит термины и определения общих понятий полупроводниковых приборов. Приложение 2 содержит вольтамперные характеристики, диаграммы и кривые токов и напряжений.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, а недопустимые синонимы - курсивом.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

Термин	Буквенное обозначение		Определение
Термин	русское	международное	Определение
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ
1. *Постоянное прямое^ напряжение диода** D. Durchlassgleichspannung der Diode E. Forward continuous voltage F. Tension directe continue	U_пр	U_F	Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода
2. Импульсное прямое напряжение диода D. Spitzendurchlassspannung der Diode E. Peak forward voltage F. Tension directe de crête	U_пр_._и	U_FM	Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения
3. Постоянное обратное напряжение диода D. Sperrgleichspannung der Diode E. Reverse continuous voltage F. Tension inverse continue	U_обр	U_R	-
4. Импульсное обратное напряжение диода D. Spitzensperrspannung der Diode E. Peak reverse voltage F. Tension inverse de crête	U_обр_._и	U_RM	Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода
5. Среднее прямое напряжение диода D. Mittlere Durchlassspannung der Diode E. Average forward voltage F. Tension directe moyenne	U_пр_._ср	U_F(AV)	Среднее за период значение прямого напряжения диода при заданном среднем прямом токе
6. Пробивное напряжение диода D. Durchbruchspannung der Diode E. Breakdown voltage F. Tension de claquage	U_проб	U_(BR)	Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения
7. Постоянный прямой ток диода D. Durchlassgleichstrom der Diode E. Forward continuous current F. Courant direct continu	I_пр	I_F	-
8. Импульсный прямой ток диода D. Spitzendurchlassstrom der Diode E. Peak forward current F. Courant direct de crête	I_пр_._и	I_FM	Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
9. Средний прямой ток диода D. Mittlerer Durchlassstrom der Diode E. Average forward current F. Courant durect moyen	I_пр_._ср	I_F(AV)	Среднее за период значение прямого тока диода
10. Постоянный обратный ток диода D. Sperrgleichstrom der Diode E. Reverse continuous current F. Courant inverse continu	I_обр	I_R	-
11. Импульсный обратный ток диода D. Spitzensperrstrom der Diode E. Peak reverse current F. Courant inverse de crête	I_обр_._и	I_RM	Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением
12. Прямая рассеиваемая мощность диода D. Durchlassverlustleistung der Diode E. Forward power dissipation F. Dissipation de puissance en direct	P_пр	P_F	Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока
13. Обратная рассеиваемая мощность диода E. Reverse power dissipation F. Dissipation de puissance en inverse	P_обр	P_R	Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока
14. Средняя рассеиваемая мощность диода D. Mittlere Verlustleistung der Diode E. Average power dissipation	P_ср	P_R	Среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов
15. Импульсная рассеиваемая мощность диода D. Spitzenverlustleistung der Diode E. Peak power dissipation	P_и	P_M	Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом
16. Общая емкость диода D. Gesamtkapazität der Diode E. Terminal capacitance F. Capasité aux bornes	C_д	C_tot	Значение емкости между выводами диода при заданном режиме
17. Емкость перехода диода D. Sperrschichtkapazität der Diode E. Junction capacitance F. Capacité de jonction	C_пер	C_j	Общая емкость диода без емкости корпуса. Примечание. В случае, когда диод имеет p-i-n структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «C_стр»
18. Емкость корпуса диода D. Gehäusekapazität der Diode E. Case capacitance	C_кор	C_case	Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла
19. Дифференциальное сопротивление диода D. Differentieller Widerstand der Diode E. Differential resistance F. Résistance différentielle	r_диф	r	Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме
20. Последовательное сопротивление потерь диода D. Serienwiderstand der Diode E. Total series equivalent resistance F. Résistance série totale équivalente	r_п	r_s	Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода
21. Тепловое сопротивление диода D. Wärmewiderstand E. Thermal resistance F. Résistance thermique	R_Θ	R_th	Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме
22. Импульсное тепловое сопротивление диода	R_Θ_и	R_(th)P	Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к импульсной мощности диода
23. Тепловое сопротивление переход - окружающая среда диода	R_Θ_{пер-окр}	R_thja	Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды
24. Тепловое сопротивление переход - корпус диода Е. Thermal resistance junction to case	R_Θ_{пер-кор}	R_thjc	Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода. Примечание. Если полупроводниковый кристалл имеет многослойную структуру, может быть использован термин «тепловое сопротивление структура - окружающая среда» или термин «тепловое сопротивление структура - корпус»
25. Тепловая емкость диода Е. Thermal capacitance	C_Θ	C_th	Отношение тепловой энергии, накопленной в диоде, к разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке
26. Переходное тепловое сопротивление диода Е. Transient thermal impedance	Z_Θ	Z_(th)t	Отношение разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке в конце заданного интервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности диода в начале этого интервала. Примечание. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во времени
27. Переходное тепловое сопротивление переход - окружающая среда диода Е. Transient thermal impedance junction to ambient	Z_Θ_пер_-_окр	Z_(th)ja	Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды
28. Переходное тепловое сопротивление переход - корпус диода Е. Transient thermal impedance junction to case	Z_Θ_пер_-_кор	Z_(th)jc	Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода
29. Индуктивность диода D. Induktvität der Diode E. Total series equivalent inductance F. Inductance série totale équivalente	L_п	L_s	Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях
30. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода Е. Effective excess minority lifetime	τ_эфф	τ_n τ_p	Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника
31. Накопленный заряд диода E. Stored charge F. Charge stockée	Q_ик	Q_s	Заряд электронов или дырок в базе диода или i-области p-i-n структуры, накопленный при протекании прямого тока
32. Заряд восстановления диода Ндп. Заряд переключения D. Sperrerholladung der Diode E. Recovered charge F. Charge recouvrée	Q_вос	Q_r	Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение. Примечания: 1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя. 2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада
33. Время обратного восстановления диода Ндп. Время восстановления обратного сопротивления D. Sperrerholungszeit der Diode E. Reverse recovery time F. Temps de recouvrement inverse	t_{вос,обр}	t_rr	Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока
34. Время прямого восстановления диода Ндп. Время восстановления прямого сопротивления D. Durchlasserholungszeit der Diode E. Forward recovery time F. Temps de recouvrement direct	t_вос_.пр	t_fr	Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
35. Рабочее импульсное обратное напряжение выпрямительного диода Е. Working peak reverse voltage	U_обр_._и_._р	U_RWM	Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода без учета повторяющихся и неповторяющихся переходных напряжений
36. Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode E. Repetitive peak reverse voltage F. Tension inverse de pointe répétitive	U_обр_._и_._п	U_RRM	Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения. Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода
37. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode E. Non-repetitive (surge) reverse voltage F. Tension inverse de pointe non-répétitive	U_обр_._и_._нп	U_RSM	Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода. Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения
38. Пороговое напряжение выпрямительного диода D. Schleusenspannung der Diode E. Threshold voltage F. Tension de seuil	U_пор	U_(то)	Значение постоянного прямого напряжения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой линии, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику в области больших токов
39. Повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода D. Periodischer Spitzendurchlassstrom der Diode E. Repetitive peak forward current F. Courant direct de pointe répétitif	I_пр.и.п	I_FRM	Наибольшее мгновенное значение прямого тока выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные токи и исключая все неповторяющиеся переходные токи
40. Ударный прямой ток выпрямительного диода	I_пр._уд	I_FSM	Ток, при протекании которого превышается максимально допустимая эффективная температура перехода, но который за время срока службы выпрямительного диода появляется редко с ограниченным числом повторений и вызывается необычными условиями работы схемы
41. Действующий прямой ток выпрямительного диода Е. RMS forward current	I_пр_._д	I_F(RMS)	Действующее значение прямого тока выпрямительного диода за период
42. Ток перегрузки выпрямительного диода E. Overload forward current F. Courant direct de surcharge prévisible	I_прг	I₍_OV)	Значение прямого тока выпрямительного диода, длительное протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается. Примечание. За время эксплуатации диода число воздействий током перегрузки не ограничивается
43. Защитный показатель выпрямительного диода	∫ i² dt ∫ I² dt	∫ i² dt ∫ I² dt	Значение интеграла от квадрата ударного прямого тока выпрямительного диода
44. Повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода E. Repetitive peak reverse current F. Courant inverse de pointe répétitif	I_обр_._и_._п	I_RRM	Значение обратного тока выпрямительного диода, обусловленного повторяющимся импульсным обратным напряжением
45. Средний обратный ток выпрямительного диода D. Mittlerer Sperrstrom der Diode E. Average reverse current F. Courant inverse moyen	I_обр_._ср	I_R(AV)	Среднее за период значение обратного тока выпрямительного диода
46. Средний выпрямленный ток диода D. Mittlerer Richtstrom der Diode E. Average output rectified current F. Courant moyen de sortie redressé	I_вп_.ср	I_O	Среднее за период значение прямого и обратного токов выпрямительного диода
47. Средняя прямая рассеиваемая мощность выпрямительного диода Е. Average forward power dissipation	P_пр_._ср	P_F(AV)	Произведение мгновенных значений прямого тока и прямого напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду
48. Средняя обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода Е. Average reverse power dissipation	P_обр_._ср	P_R(AV)	Произведение мгновенных значений обратного тока и обратного напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду
49. Ударная обратная рассеиваемая мощность лавинного выпрямительного диода Е. Surge (non-repetitive) reverse power dissipation	P_обр_._и_,_нп	P_RSM	Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии одиночных импульсов тока в режиме пробоя
50. Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода Е. Repetitive peak reverse power dissipation	P_обр_._и_,_п	P_RRM	Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии периодических импульсов
51. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении Е. Total instantaneous turn-off dissipation F. Dissipation totale instantanée à la coupure du courant	P_вос_._обр	P_RQ	Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение
52. Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении Е. Peak turn-off dissipation F. Dissipation de pointe à la coupure du courant	P_{вос.обр, и}	P_RQM	Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение
53. Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении Е. Average turn-off dissipation F. Dissipation moyene à la coupure du courant	P_{вос. обр,}_ср	P_RQ₍_AV₎	Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при обратном восстановлении
54. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении E. Total instantaneous turn-on dissipation F. Dissipation totale instantanée a l’etablissement du courant	Р_вос_._пр	P_FT	Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток
55. Импульсная мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении E. Peak turn-on dissipation F. Dissipation de pointe a l’etablissement du courant	Р_{вос.пр, и}	P_FTM	Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток
56. Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении E. Average turn-on dissipation F. Dissipation moyenne a l’etablissement du courant	P_{вос.пр, ср}	P_FT₍_AV₎	Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при прямом восстановлении
57. Энергия прямых потерь выпрямительного диода Е. Forward energy loss	W_пр E_пр	W_F E_F	Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной прямым током
58. Энергия обратных потерь выпрямительного диода Е. Reverse energy loss	W_обр E_обр	W_R E_R	Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной обратным током
59. Общая энергия потерь выпрямительного диода Е. Total energy loss	W_д E_д	W_tot E_tot	Сумма средних значений энергий прямых и обратных потерь выпрямительного диода
60. Энергия потерь при обратном восстановлении диода Е. Reverse recovery energy loss	W_вос_._обр E_вос_._обр	W_rr E_rr	Значение энергии потерь выпрямительного диода при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение
61. Динамическое сопротивление выпрямительного диода D. Dynamischer Widerstand der Diode E. Slope resistance F. Résistance apparente directe	r_дин	r_T	Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода
62. Заряд запаздывания выпрямительного диода	Q_зп	Q_e	Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время запаздывания обратного напряжения
63. Заряд спада выпрямительного диода	Q_сп	Q_f	Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время спада обратного тока
64. Время запаздывания обратного напряжения выпрямительного диода	t_зп	t_s	Интервал времени между моментом, когда ток проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток достигает амплитудного значения
65. Время спада обратного тока выпрямительного диода	t_сп	t_f	Интервал времени между моментом, когда ток, изменив направление от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения и моментом окончания времени обратного восстановления выпрямительного диода
ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
66. Пиковый ток туннельного диода D. Höckerstrom der Tunneldiode E. Peak point current F. Courant de pic	I_п	I_P	Значение прямого тока в точке максимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
67. Ток впадины туннельного диода D. Talstrom der Tunneldiode E. Valley point current F. Courant de vallée	I_в	I_V	Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
68. Отношение токов туннельного диода D. Höcker-Talstrom-Verhälthis der Tunneldiode E. Peak to valley point current ratio F. Rapport de dénivellation du courant	I_п / I_в	I_P / I_V	Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода
69. Напряжение пика туннельного диода D. Höckerspannung der Tunneldiode E. Peak point voltage F. Tension de pic	U_п	U_P	Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода
70. Напряжение впадины туннельного диода D. Talspannung der Tunneldiode E. Valley point voltage F. Tension de vallée	U_в	U_V	Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода
71. Напряжение раствора туннельного диода D. Projezierte Höckerspannug E. Projected peak point voltage F. Tension isohypse	U_рр	U_ЗЗ	Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому
72. Отрицательная проводимость туннельного диода D. Negativer Leitwert der Tunneldiode E. Negative conductance of the intrinsic diode F. Conductance négative de la diode intrinséque	g_пер	g_j	Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода
73. Предельная резистивная частота туннельного диода D. Entdämpfungs-Grenzfrequenz der Tunneldiode E. Resistive cut-off frequency F. Fréquence de coupure résistive	f_R	f_г	Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль
74. Шумовая постоянная туннельного диода D. Rauschfaktor der Tunneldiode E. Noise factor F. Facteur de bruit	N_ш	N_n	Величина, определяемая соотношением: где I_р - ток в рабочей точке туннельного диода, g_пер - отрицательная проводимость туннельного диода
75. Энергия импульсов туннельного диода	W_и	W	Энергия коротких импульсов тока, воздействующих на туннельный диод
ВАРИКАПЫ
76. Добротность варикапа D. Gütefaktor der Kapazitätsdiode E. Quality factor	Q_в	Q_eff	Отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения
77. Температурный коэффициент емкости варикапа D. Temperaturkoeffizient der Kapazität der Kapazitätsdiode E. Temperature coefficient of capacitance	α_C_в	α_C_tot	Отношение относительного изменения емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
78. Предельная частота варикапа D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode E. Cut-off frequency F. Fréquence de coupure	f_пред_._в	f_co	Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях
79. Температурный коэффициент добротности варикапа D. Temperaturkoeffizient des Gütefaktors der Kapazitätsdiode E. Temperature coefficient of quality factor	α_C_в	α_Q_eff	Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
80. Коэффициент перекрытия по емкости варикапа	K_C	K_c	Отношение общих емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения
СТАБИЛИТРОНЫ
81. Напряжение стабилизации стабилитрона D. Z-Spannung der Z-Diode E. Working voltage (of voltage regulator diode) F. Tens on de régulation	U_ст	U_z	Значение напряжения стабилитрона при протекании тока стабилизации
82. Ток стабилизации стабилитрона D. Z-Strom der Z-Diode E. Continuous current within the working voltage range F. Courant continu inverse pour la gamme des tensions de régulation	I_ст	I_z	Значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации
83. Импульсный ток стабилизации стабилитрона	I_ст.и	I_ZM	Наибольшее мгновенное значение тока стабилизации стабилитрона
84. Дифференциальное сопротивление стабилитрона D. Z-Widerstand der Z-Diode E. Differential resistance within the working voltage range F. Résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation	r_ст	r_z	Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона
85. Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона D. Temperaturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode E. Temperature coefficient of working voltage F. Coefficient de temperature de la tension de régulation	α_U_ст	α_Г_z	Отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации
86. Время включения стабилитрона D. Einschaltzeit der Z-Diode E. Turn-on time	t_вкл	t_оп	Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации
87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode E. Working voltage long-term instability F. Instabilité à long terme de la tension de régulation	δ_U_ст	δ_UZ	Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени
88. Время выхода стабилитрона на режим D. Stabilisierungszeit der Z-Diode E. Transient time of working voltage	t_вых	t_г	Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной 28_1Т
89. Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона	H_ст	-	Разность напряжений стабилизации при двух равных по абсолютному значению и противоположных по знаку токах стабилизации стабилитрона
89 а. Температурный уход напряжения стабилизации стабилитрона	ΔU_Θ	ΔU_Θ	Максимальное абсолютное изменение напряжения стабилизации стабилитрона от изменения температуры в установленном диапазоне температур при постоянном токе стабилизации
89б. Нелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитрона	β_ст	β_z	Отношение наибольшего отклонения напряжения стабилизации стабилитрона от линейной зависимости в указанном диапазоне температур к произведению абсолютного изменения напряжения стабилизации и абсолютного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации
89 в. Размах низкочастотных шумов стабилизации стабилитрона	U_ш.ст	U_nz	Разница наибольшего и наименьшего напряжения стабилизации стабилитрона за время измерения в указанном диапазоне частот при постоянном токе стабилизации
90. Спектральная плотность шума стабилитрона	S_ш	S_Unz	Эффективное значение напряжения шума, отнесенное к полосе в 1 Гц, измеренное при заданном токе стабилизации стабилитрона в оговоренном диапазоне частот
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ
91. Выпрямительный ток СВЧ диода	I_вп	I_O	Постоянная составляющая тока СВЧ диода в рабочем режиме
92. Постоянный рабочий ток ЛПД	I_рЛПД	I_w	Значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность
93. Импульсный рабочий ток ЛПД	I_и.рЛПД	I_WM	Мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность
94. Постоянный пусковой ток ЛПД	I_пуск	I_Wmin	Наименьшее значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности
95. Импульсный пусковой ток ЛПД	I_и.пуск	I_WMmin	Наименьшее мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности
96. Пороговый ток диода Ганна	I_пор	I₍_ТО_)max	Значение постоянного тока диода Ганна в точке первого максимума вольт-амперной характеристики, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
97. Постоянный рабочий ток диода Ганна	I_рГ	I_w	Значение постоянного тока диода Ганна при постоянном рабочем напряжении
98. Импульсный рабочий ток диода Ганна	I_и.рГ	I_WM	Мгновенное значение тока диода Ганна при импульсном рабочем напряжении
99. Постоянное пороговое напряжение диода Ганна	U_порГ	U_(TO)	Значение постоянного напряжения, соответствующее пороговому току диода Ганна
100. Постоянное рабочее напряжение диода Ганна	U_p	U_W	Значение постоянного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность
101. Импульсное рабочее напряжение диода Ганна	U_и.р	U_WM	Мгновенное значение импульсного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность
102. Непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода E. R. F. с. w. power dissipation F. Dissipation de puissance dans le cas d’une onde R. F. entretenue	P_рас	P_D	Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы
103. Импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода E. Pulse r. f. power dissipation F. Dissipation de puissance dans le cas de train d'ondes R. F.	P_рас._и	P_DP_м	Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы
104. Средняя рассеиваемая мощность СВЧ диода E. Average r. f. power F. Puissance R. F. moyenne	P_рас_._ср	P_AD	Сумма средних значений рассеиваемых СВЧ диодом мощностей от всех источников
105. Непрерывная выходная мощность СВЧ диода	P_вых	P_out	Значение непрерывной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме
106. Импульсная выходная мощность СВЧ диода	P_вых.и	P_outM	Значение импульсной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме
107. Мощность ограничения СВЧ диода Е. Clipping power	P_огр	P_L	Уровень СВЧ мощности, подводимой на вход линии передачи с диодом, включенным параллельно линии передачи, при которой выходная мощность достигает заданного значения
108. Тангенциальная чувствительность СВЧ диода Е. Tangential sensitivity	P_tg	TSS	Значение импульсной мощности СВЧ сигнала, при котором на экране осциллографа, включенного на выходе системы «детекторное устройство - видеоусилитель» наблюдается совпадение верхней границы полосы шумов при отсутствии СВЧ сигнала с нижней границей полосы шумов при его наличии
109. Граничная мощность детекторного диода	P_гр	P_inc	Значение мощности, при которой зависимость выпрямленного тока детекторного диода от мощности сигнала отклоняется от линейной на заданное значение при заданном сопротивлении нагрузки
110. Минимально различимая мощность сигнала детекторного диода	P_min	NDS	Значение мощности СВЧ сигнала, поданного на приемник с детектором на входе, при котором отношение сигнал - шум равно единице
111. Время тепловой релаксации СВЧ диода	τ_T	τ_T	Интервал времени с начала подачи импульса, за который температура перехода СВЧ диода достигает 63,2% от значения температуры в установленном режиме
112. Энергия одиночного импульса СВЧ диода E. Single pulse energy F. Energie d’une impulsion	W_и_._од E_и_._од	W_p E_p	Значение энергии одного воздействующего на СВЧ диод короткого импульса. Примечание. Под коротким импульсом понимается импульс длительностью не более 10^-8 с
113. Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода E. Repetitive pulse energy F. Energie d’une impulsion répétitive	W_и_,_п E_и_,_п	E_p₍_rep₎	Значение энергии серии воздействующих на СВЧ диод повторяющихся коротких импульсов
114. Энергия выгорания СВЧ диода E. Burn-out energy F. Energie de claquage	W_выг	W_M E_M E_HFM W_HFM	Минимальное значение энергии одиночного короткого импульса СВЧ диода, после воздействия которого электрические параметры СВЧ диода изменяются на заданные значения
115. Энергия СВЧ импульсов СВЧ диода	W_СВЧи	W_HFP	Значение энергии воздействующих на СВЧ диод СВЧ импульсов длительностью менее 3 · 10^-9 с
116. Полное входное сопротивление СВЧ диода	Z_вх	Z_in	Полное сопротивление, измеренное на входе диодной камеры с СВЧ диодом в заданном режиме
117. Прямое сопротивление потерь переключательного диода	r_пр	R_F	Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном прямом токе
118. Обратное сопротивление потерь переключательного диода	r_обр	R_R	Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном обратном напряжении
119. Сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности	r_низ	R_L	Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при малых значениях СВЧ мощности, на начальном участке ограничительной характеристики, при которых сопротивление диода не изменяется
120. Сопротивление ограничительного диода при высоком значении СВЧ мощности	r_выс	R_H	Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при значениях СВЧ мощности, больших мощности ограничения, при которых сопротивление диода не изменяется
121. Сопротивление диода Ганна	r_Г	R_g	Активное сопротивление диода Ганна, измеряемое при напряжении значительно меньшем порогового
122. Выходное сопротивление смесительного диода	r_вых	Z_if	Активная составляющая полного сопротивления смесительного диода на промежуточной частоте в заданном режиме
123. Выходное сопротивление детекторного диода на видеочастоте	r_вид	R_j	Активная составляющая полного сопротивления детекторного диода на видеочастоте в заданном режиме
124. Постоянная времени СВЧ диода	τ	τ	Произведение емкости перехода на последовательное сопротивление потерь СВЧ диода
125. Время выключения СВЧ диода	t_выкл	t_off	Интервал времени нарастания обратного напряжения СВЧ диода при переключении его из открытого состояния в закрытое, отсчитанное по уровню 0,1 и 0,9 установившегося значения обратного напряжения
126. Полоса частот СВЧ диода			Интервал частот, в котором СВЧ диод, настроенный на заданную частоту, обеспечивает заданные параметры и характеристики в неизменном рабочем режиме
127. Предельная частота умножительного диода	f_пред	f_c	Значение частоты, на которой добротность умножительного диода равна единице. Примечание. Предельная частота определяется по формуле где C_пер - емкость перехода; r_п - последовательное сопротивление потерь
128. Критическая частота переключательного диода	f_кр	f_os	Обобщенный параметр переключательного диода, определяемый по формуле
129. Добротность СВЧ диода	Q	Q_eff	Отношение реактивного сопротивления СВЧ диода на заданной частоте к активному при заданном значении обратного напряжения
130. Потери преобразования смесительного диода E. Conversion loss F. Perte de conversion	L_прб	L_c	Отношение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода в рабочем режиме
131. Коэффициент полезного действия СВЧ диода	η	η	Отношение выходной мощности СВЧ диода к потребляемой им мощности
132. Выходное шумовое отношение СВЧ диода E. Output noise ratio F. Rapport de température de bruit	N_m	N_r	Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот
133. Нормированный коэффициент шума смесительного диода E. Standard overall average noise figure F. Facteur de bruit total moyen normal	F_норм	F_os F_os(av)	Значение коэффициента шума приемного устройства со смесительным диодом на входе при коэффициенте шума усилителя промежуточной частоты равном 1,5 дБ
134. Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода КСВН E. Voltage standing wave ratio V.S.W.P. F. Taux d’ondes stationnaires T.O.S (R.O.S.)	K_ст_U	S_V	Коэффициент стоячей волны по напряжению в линии передачи СВЧ, нагруженной на определенную диодную камеру с СВЧ диодом в рабочем режиме
135. Чувствительность по току СВЧ диода E. Total current sensitivity F. Sensibilité totale en courant	β_I	β_I	Отношение приращения выпрямительного тока диода к вызвавшей это приращение СВЧ мощности на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме при заданной нагрузке
136. Чувствительность по напряжению СВЧ диода	β_U	β_U	Отношение приращения напряжения на нагрузке СВЧ диода к вызвавшей это приращение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме
137. Температурный коэффициент выходной мощности СВЧ диода	α_P_вых	α_Pout	Отношение относительного изменения выходной мощности СВЧ диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды
138. Температурный коэффициент частоты СВЧ диода	α_i	α_i	Отношение относительного изменения частоты генерации СВЧ диода к разности температур, окружающей среды
ШУМОВЫЕ ДИОДЫ
139. Спектральная плотность напряжения шумового диода	S	S	Отношение среднего квадратического значения напряжения шумового диода к корню квадратному из заданного диапазона частот
140. Спектральная плотность мощности шумового диода	G	G	Отношение среднего квадратического значения мощности шумового диода к заданному диапазону частот
141. Неравномерность спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода	δS_U δS_P	S_U, S_D	Отношение экстремального значения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к их среднему значению, выраженное в децибелах
142. Температурный коэффициент спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода	α_S_U α_S_P	α_S_U, α_S_P	Отношение относительного изменения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе диода
143. Граничная частота шумового диода	f_гр	f_inc	Значение частоты, на которой спектральная плотность напряжения или мощности шумового диода имеет максимальное отклонение от ее среднего значения
144. Диапазон частот шумового диода	Δf	f	Интервал частот, заключенный между верхней и нижней граничной частотой шумового диода
145. Постоянный рабочий ток шумового диода	I_s	I_S	Значение постоянного тока, при котором определяются параметры шумового диода
146. Постоянное напряжение шумового диода	U_ш	U_s	Значение постоянного напряжения, обусловленного постоянным рабочим током шумового диода

^* В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова «диод» или «СВЧ диод» заменить понятием, определяющим группу диода, например «постоянный обратный ток диода» следует писать «постоянный обратный ток стабилитрона».

(Измененная редакция, Изм. № 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время восстановления обратного сопротивления	33
Время восстановления прямого сопротивления	34
Время включения стабилитрона	86
Время выключения СВЧ диода	125
Время выхода стабилитрона на режим	88
Время жизни неравновесных носителей заряда диода эффективное	30
Время запаздывания обратного напряжения выпрямительного диода	64
Время обратного восстановления диода	33
Время прямого восстановления диода	34
Время спада обратного тока выпрямительного диода	65
Время тепловой релаксации СВЧ диода	111
Диапазон частот шумового диода	144
Добротность СВЧ диода	129
Добротность варикапа	76
Емкость диода общая	16
Емкость диода тепловая	25
Емкость корпуса диода	18
Емкость перехода диода	17
Заряд восстановления диода	32
Заряд диода накопленный	31
Заряд запаздывания выпрямительного диода	62
Заряд переключения	32
Заряд спада выпрямительного диода	63
Индуктивность диода	29
Коэффициент выходной мощности СВЧ диода температурный	137
Коэффициент добротности варикапа температурный	79
Коэффициент емкости варикапа температурный	77
Коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона температурный	85
Коэффициент перекрытия по емкости варикапа	80
Коэффициент полезного действия СВЧ диода	131
Коэффициент спектральной плотности мощности шумового диода температурный	142
Коэффициент спектральный плотности напряжения шумового диода температурный	142
Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода	134
Коэффициент частоты СВЧ диода температурный	138
Коэффициент шума смесительного диода нормированный	133
КСВН	134
Мощность выпрямительного диода рассеиваемая обратная импульсная повторяющаяся	50
Мощность выпрямительного диода рассеиваемая обратная средняя	48
Мощность выпрямительного диода рассеиваемая прямая средняя	47
Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая	51
Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая импульсная	52
Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая средняя	53
Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении рассеиваемая	54
Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении импульсная	55
Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении рассеиваемая средняя	56
Мощность детекторного диода граничная	109
Мощность диода рассеиваемая импульсная	15
Мощность диода рассеиваемая обратная	13
Мощность диода рассеиваемая прямая	12
Мощность диода рассеиваемая средняя	14
Мощность лавинного выпрямительного диода рассеиваемая обратная ударная	49
Мощность ограничения СВЧ диода	107
Мощность СВЧ диода выходная импульсная	106
Мощность СВЧ диода выходная непрерывная	105
Мощность СВЧ диода непрерывная рассеиваемая	102
Мощность СВЧ диода рассеиваемая импульсная	103
Мощность СВЧ диода рассеиваемая средняя	104
Мощность сигнала детекторного диода минимально различимая	110
Напряжение впадины туннельного диода	70
Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное неповторяющееся	37
Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное повторяющееся	36
Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное рабочее	35
Напряжение выпрямительного диода пороговое	38
Напряжение диода Ганна пороговое постоянное	99
Напряжение диода Ганна рабочее импульсное	101
Напряжение диода Ганна рабочее постоянное	100
Напряжение диода обратное импульсное	4
Напряжение диода обратное постоянное	3
Напряжение диода пробивное	6
Напряжение диода прямое импульсное	2
Напряжение диода прямое постоянное	1
Напряжение диода прямое среднее	45
Напряжение пика туннельного диода	69
Напряжение раствора туннельного диода	71
Напряжение стабилизации стабилитрона	81
Напряжение шумового диода постоянное	146
Нелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитрона	896
Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона	89
Нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона временная	87
Неравномерность спектральной плотности мощности шумового диода	141
Неравномерность спектральной плотности напряжения шумового диода	141
Отношение СВЧ диода шумовое выходное	132
Отношение токов туннельного диода	68
Плотность мощности шумового диода спектральная	140
Плотность напряжения шумового диода спектральная	139
Плотность шума стабилитрона спектральная	90
Показатель выпрямительного диода защитный	43
Полоса частот СВЧ диода	126
Постоянная времени СВЧ диода	124
Постоянная туннельного диода шумовая	74
Потери преобразования смесительного диода	130
Проводимость туннельного диода отрицательная	72
Размах низкочастотных шумов стабилизации стабилитрона	89в
Сопротивление выпрямительного диода динамическое	61
Сопротивление детекторного диода на видеочастоте выходное	123
Сопротивление диода Ганна	121
Сопротивление диода дифференциальное	19
Сопротивление диода тепловое импульсное	22
Сопротивление диода тепловое переходное	26
Сопротивление диода тепловое	21
Сопротивление ограничительного диода при высоком значении СВЧ мощности	120
Сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности	119
Сопротивление переход - корпус диода тепловое	24
Сопротивление переход - корпус диода тепловое переходное	28
Сопротивление переход - окружающая среда диода тепловое	23
Сопротивление переход - окружающая среда диода тепловое переходное	27
Сопротивление потерь диода последовательное	20
Сопротивление потерь переключательного диода обратное	118
Сопротивление потерь переключательного диода прямое	117
Сопротивление СВЧ диода входное полное	116
Сопротивление смесительного диода выходное	122
Сопротивление стабилитрона дифференциальное	84
Ток впадины туннельного диода	67
Ток диода выпрямленный средний	46
Ток выпрямительного диода обратный импульсный повторяющийся	44
Ток выпрямительного диода обратный средний	45
Ток выпрямительного диода прямой действующий	41
Ток выпрямительного диода прямой импульсный повторяющийся	39
Ток выпрямительного диода прямой ударный	40
Ток диода Ганна пороговый	96
Ток диода Ганна рабочий импульсный	98
Ток диода Ганна рабочий постоянный	97
Ток диода обратный импульсный	11
Ток диода обратный постоянный	10
Ток диода прямой импульсный	8
Ток диода прямой постоянный	7
Ток диода прямой средний	9
Ток ЛПД пусковой импульсный	95
Ток ЛПД пусковой постоянный	94
Ток ЛПД рабочий импульсный	93
Ток ЛПД рабочий постоянный	92
Ток перегрузки выпрямительного диода	42
Ток СВЧ диода выпрямленный	91
Ток стабилизации стабилитрона	82
Ток стабилизации стабилитрона импульсный	83
Ток туннельного диода пиковый	66
Ток шумового диода рабочий постоянный	145
Частота варикапа предельная	78
Частота переключательного диода критическая	128
Частота туннельного диода резистивная предельная	73
Частота умножительного диода предельная	127
Частота шумового диода граничная	143
Чувствительность по напряжению СВЧ диода	136
Чувствительность по току СВЧ диода	135
Чувствительность СВЧ диода тангенциальная	108
Уход напряжения стабилизации стабилитрона температурный	89а
Энергия выгорания СВЧ диода	114
Энергия импульсов туннельного диода	75
Энергия обратных потерь выпрямительного диода	58
Энергия одиночного импульса СВЧ диода	112
Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода	113
Энергия потерь выпрямительного диода общая	59
Энергия потерь при обратном восстановлении диода	60
Энергия прямых потерь выпрямительного диода	57
Энергия СВЧ импульсов СВЧ диода	115

(Измененная редакция, Изм. № 4).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Differentieller Widerstand der Diode	19
Durchbruchspannung der Diode	6
Durchlasserholungszeit der Diode	34
Durchlassgleichspannung der Diode	1
Durchlassgleichstrom der Diode	7
Durchlassverlustleistung der Diode	12
Dynamischer Widerstand der Diode	61
Einschaltzeit der Z-Diode	86
Entdämpfungs Grenzfrequenz der Tunneldiode	73
Gehäusekapazität der Diode	18
Gesamtkapazität der Diode	16
Gütefaktor der Kapazitätsdiode	76
Gütefrequenz der Kapazitätsdiode	78
Höckerspannung der Tunneldiode	69
Höckerstrom der Tunneldiode	66
Höcker-Talstrom-Verhältnis der Tunneldiode	68
Impulsenergie der Tunneldiode	75
Induktivität der Diode	29
Mittlere Durchlassspannung der Diode	5
Mittlere Verlustleistung der Diode	14
Mittlerer Durchlassstrom der Diode	9
Mittlerer Richtstrom der Diode	46
Mittlerer Sperrstrom der Diode	45
Negativer Leitwert der Tunneldiode	72
Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode	37
Nichtperiodischer Spitzendurchlassstrom der Diode	40
Periodische Spitzensperrspannung der Diode	36
Periodischer Spitzendurchlassstrom der Diode	39
Projezierte Höckerspannung	71
Rauschfaktor der Tunneldiode	74
Schleusenspannung der Diode	38
Serienwiderstand der Diode	20
Sperrerholladung der Diode	32
Sperrerholungszeit der Diode	33
Sperrgleichspannung der Diode	3
Sperrgleichstrom der Diode	10
Sperrschichtkapazität der Diode	17
Spitzendurchlassspannung der Diode	2
Spitzendurchlassstrom der Diode	8
Spitzensperrspannung der Diode	4
Spitzensperrstrom der Diode	11
Spitzenverlustleistung der Diode	15
Stabilisierungszeit der Z-Diode	88
Talspannung der Tunneldiode	70
Talstrom der Tunneldiode	67
Temperaturkoeffizient der Kapazität der Kapazitätsdiode	77
Temperaturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode	85
Temperaturkoeffizient des Gütefaktors der Kapazitätsdiode	79
Wärmewiderstand	21
Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode	87
Z-Spannung der Z-Diode	81
Z-Strom der Z-Diode	82
Z-Widerstand der Z-Diode	84

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Average forward current	9
Average forward power dissipation	47
Average forward voltage	5
Average output rectified current	46
Average power dissipation	14
Average reverse current	45
Average reverse power dissipation	48
Average r. f. power	104
Average turn-off dissipation	53
Average turn-on dissipation	56
Breakdown voltage	6
Burn-out energy	114
Case capacitance	18
Clipping power	107
Continuous current within the working voltage range	82
Conversion loss	130
Cut-off frequency	78
Differential resistance	19
Differential resistance within the working voltage range	84
Effective excess minority lifetime	30
Forward continuous current	7
Forward continuous voltage	1
Forward energy loss	57
Forward power dissipation	12
Forward recovery time	34
Junction capacitance	17
Negative conductance of the intrinsic diode	72
Noise factor	74
Non-repetitive (surge) reverse voltage	37
Output noise ratio	132
Overload forward current	42
Peak forward current	8
Peak forward voltage	2
Peak point current	66
Peak point voltage	69
Peak power dissipation	15
Peak reverse current	11
Peak reverse voltage	4
Peak to valley point current ratio	68
Peak turn-off dissipation	52
Peak turn-on dissipation	55
Projected peak point voltage	71
Pulse r.f. power dissipation	103
Quality factor	76
Recovered charge	32
Repetitive peak forward current	39
Repetitive peak reverse current	44
Repetitive peak revers power dissipation	50
Repetitive peak reverse voltage	86
Repetitive pulse energy	113
Resistive cut-off frequency	73
Reverse continuous current	10
Reverse continuous voltage	3
Reverse energy loss	58
Reverse power dissipation	13
Reverse recovery energy loss	60
Reverse recovery time	33
R.F. c.w. power dissipation	102
RMS forward current	41
Single pulse energy	112
Slope resistance	61
Standard overall average noise figure	133
Stored charge	31
Surge (non-repetitive) reverse power dissipation	49
Tangential sensitivity	108
Temperature coefficient of capacitance	77
Temperature coefficient of quality factor	79
Temperature coefficient of working voltage	85
Terminal capacitance	16
Thermal capacitance	25
Thermal resistance	21
Thermal resistance junction to case	24
Threshold voltage	38
Total current sensitivity	135
Total energy loss	59
Total instantaneous turn-off dissipation	51
Total instantaneous turn-on dissipation	54
Total series equivalent inductance	29
Total series equivalent resistance	20
Transient thermal impedance	26
Transient thermal impedance junction to ambient	27
Transient thermal impedance junction to case	28
Transient time of working voltage	88
Turn-on time	86
Valley point current	67
Valley point voltage	70
Voltage standing wave ratio	134
V.S.W.R.	134
Working peak reverse voltage	35
Working voltage long-term instability	87
Working voltage (of voltage regulator diode)	81

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Capacité aux bornes	16
Capacité de jonction	17
Charge rocouvrée	32
Charge stockée	31
Coefficient de température de la tension de régulation	85
Conductance négative de la diode intrinsèque	72
Courant continu inverse pour la gamme des tensions de régulation	82
Courant de pic	66
Courant de vallée	67
Courant direct continu	7
Courant direct de crête	8
Courant direct de pointe répétitif	39
Courant direct de surcharge accidentel	40
Courant direct de surcharge prévisible	42
Courant direct moyen	9
Courant inverse continu	10
Courant inverse de crête	11
Courant inverse de pointe répétitif	44
Courant inverse moyen	45
Courant moyen de sortie redressé	46
Dissipation totale instantanée à la coupure du courant	51
Dissipation de pointe à la coupure du courant	52
Dissipation de pointe à l’etablissement du courant	55
Dissipation de puissance dans le cas de train d’ondes R.F.	103
Dissipation de puissance dans le cas d’une onde R.F. entretenue	102
Dissipation de puissance en direct	12
Dissipation de puissance en inverse	13
Dissipation moyenne à la coupure du courant	53
Dissipation moyenne à l’etablissement du courant	56
Dissipation totale instantanée a l’etablissement du courant	54
Dissipation totale instantanée à la coupure du courant	51
Energie de claquage	114
Energie d’une impulsion	112
Energie d’une impulsion répétitive	113
Facteur de bruit	74
Facteur de bruit total moyen normal	133
Fréquence de coupure	78
Fréquence de coupure résistive	73
Inductance série totale équivalente	29
Instabilité à long terme de la tension de régulation	87
Perte de conversion	130
Puissance R.F. moyenne	104
Rapport de dénivellation du courant	68
Rapport de température de bruit	132
Résistance apparente directe	61
Résistance différentielle	19
Résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation	84
Résistance série équivalente	20
Résistance thermique	21
Sensibilité totale en courant	135
Taux d’ondes stationnaires
T.O.S. (RO.S.)	134
Temps de recouvrement direct	34
Temps de recouvrement inverse	33
Tension de claquage	6
Tension de pic	69
Tension directe continue	1
Tension de régulation	81
Tension de seuil	38
Tension de vallée	70
Tension directe de crête	2
Tension directe moyenne	5
Tension inverse continue	3
Tension inverse de crête	4
Tension inverse de pointe non-répétitive	37
Tension inverse de pointe répétitive	36
Tension isohypse	71

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Справочное

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ОБЩИХ ПОНЯТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Термин	Буквенное обозначение		Определение
Термин	русское	международное	Определение
1. Прямое напряжение диода	-	-	Напряжение между выводами диода, обусловленное прямым током
2. Обратное напряжение диода	-	-	Напряжение, приложенное к диоду в обратном направлении
3. Прямой ток диода	-	-	Ток, протекающий через диод в прямом направлении
4. Обратный ток диода	-	-	Ток, протекающий через диод, обусловленный обратным напряжением
5. Предельно допустимое значение параметра полупроводникового прибора	-	-	Значение параметра, заданное в нормативно-технической документации, ограниченное возможностями данного типа прибора и обеспечивающее заданную надежность. Примечания: 1. Предельно допустимое значение может быть максимально или минимально допустимым. 2. Если речь идет о предельно допустимом значении параметра, то к термину следует добавить слова «максимально допустимый» или «минимально допустимый», а к буквенному обозначению добавить индекс «max» или «min»
6. Нестабильность параметра полупроводникового прибора	-	-	Модуль разности значений параметра полупроводникового прибора при воздействии дестабилизирующих факторов
7. Эффективная температура перехода полупроводникового прибора	-	-	Температура, которая устанавливается на основе упрощенных представлений о тепловых и электрических свойствах полупроводникового прибора и не всегда является наивысшей в приборе
8. Температура в контрольной точке полупроводникового прибора	t_кон T_кон Θ_кон	t_ref T_ref Θ_ref	Температура, измеренная в заданной точке на (в) корпусе прибора или в среде, окружающей или охлаждающей прибор, выбранной для контроля параметра прибора
9. Температура корпуса полупроводникового прибора	t_кор T_кор Θ_кор	t_case T_case Θ_case	Температура в заданной контрольной точке на (в) корпусе полупроводникового прибора
10. Температура окружающей среды	t_окр T_окр Θ_окр	t_a t_amb T_amb Θ_amb	Температура воздуха или газа, измеренная вблизи полупроводникового прибора при условии естественной конвекции и при отсутствии влияния поверхностей, излучающих тепло
11. Температура охлаждающей среды	t_охл T_охл	t_cf T_cf	Температура в заданной контрольной точке среды, охлаждающей полупроводниковый прибор, или его охладителя
12. Температура хранения	t_хр T_хр Θ_хр	t_stg T_stg Θ_stg	-
13. Показатель идеальности вольт-амперной характеристики полупроводникового прибора	-	-	Параметр, характеризующий качество полупроводникового прибора и определяемый по формуле где q - заряд электрона; k - постоянная Больцмана; T - температура в градусах Кельвина; I₁, I₂, U₁, U₂ - точки и соответствующие им напряжения на линейном участке зависимости lg I_F = f(U_F)

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Справочное

Вольт-амперные характеристики. Диаграммы токов и напряжений диодов

1 - прямая вольт-амперная характеристика; 2 - обратная вольт-амперная характеристика; 3 - область пробоя; 4 - прямолинейная аппроксимация прямой вольт-амперной характеристики; U_пор - пороговое напряжение; r_дин - динамическое сопротивление; U_проб - пробное напряжение

Черт. 1

Вольт-амперная характеристика туннельного диода

I_п - пиковый ток; I_в - ток впадины; U_в - напряжение впадины; U_п - напряжение пика; U_рр - напряжение раствора

Черт. 2

Вольт-амперная характеристика стабилитрона

Черт. 3

Вольт-амперная характеристика диода Ганна

U_порГ - постоянное пороговое напряжение диода Ганна; I_пор - пороговый ток диода Ганна; U_р - постоянное рабочее напряжение диода Ганна; I_р - постоянный рабочий ток диода Ганна

Черт. 4

Диаграммы токов и напряжений

Черт. 5

Кривые токов и напряжений при обратном и прямом восстановлении диода

Черт. 6

Эквивалентная схема варикапа и туннельного диода

C_п - параллельная емкость; g_пер - отрицательная проводимость; r_п - сопротивление потерь; L_g - последовательная индуктивность; C_пер - емкость перехода

Черт. 7

ПРИЛОЖЕНИЕ 3. (Исключено, Изм. № 1).

СОДЕРЖАНИЕ

Общие понятия. 1

Выпрямительные диоды.. 4

Туннельные диоды.. 7

Варикапы.. 8

Стабилитроны.. 9

Сверхвысокочастотные диоды.. 10

Шумовые диоды.. 14

Алфавитный указатель терминов на русском языке. 15

Алфавитный указатель терминов на немецком языке. 18

Алфавитный указатель терминов на английском языке. 19

Алфавитный указатель терминов на французском языке. 21

Приложение 1. Термины, определения и буквенные обозначения общих понятий полупроводниковых приборов. 22

Приложение 2. Вольт-амперные характеристики. Диаграммы токов и напряжений диодов. 24

		Крупнейшая бесплатная информационно-справочная система онлайн доступа к полному собранию технических нормативно-правовых актов РФ. Огромная база технических нормативов (более 150 тысяч документов) и полное собрание национальных стандартов, аутентичное официальной базе Госстандарта. GOSTRF.com - это более 1 Терабайта бесплатной технической информации для всех пользователей интернета. Все электронные копии представленных здесь документов могут распространяться без каких-либо ограничений. Поощряется распространение информации с этого сайта на любых других ресурсах. Каждый человек имеет право на неограниченный доступ к этим документам! Каждый человек имеет право на знание требований, изложенных в данных нормативно-правовых актах!