|
Термин
|
Определение
|
|
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ
|
|
1.
Запоминающее устройство ЗУ
Storage unit
|
По ГОСТ 15971
|
|
2. Запоминающий
элемент
Storage element
|
Часть запоминающего устройства,
предназначенная для хранения наименьшей единицы данных
|
|
3. Ячейка
запоминающего устройства
Ячейка ЗУ
Storage cell
|
Совокупность запоминающих элементов,
реализующих ячейку памяти
|
|
4. Содержимое
запоминающего устройства
Storage content
|
Данные, хранящиеся в запоминающем устройстве
|
|
ВИДЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
|
5.
Оперативное запоминающее устройство
ОЗУ
Random access memory
RAM
|
Запоминающее устройство, непосредственно
связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно
участвующих в выполнении арифметико-логических операций
|
|
6. Постоянное
запоминающее устройство
ПЗУ
Read-only memory
ROM
|
Запоминающее устройство, из которого может
производиться только считывание данных
|
|
7. Программируемое
постоянное запоминающее устройство
ППЗУ
Programmed read-only memory
PROM
|
Постоянное запоминающее устройство, в котором
запись или смена данных проводится путем электрического, магнитного или
светового воздействия на запоминающие элементы по заданной программе
|
|
8. Внешнее
запоминающее устройство
ВЗУ
External storage
|
Запоминающее устройство, подключаемое к
центральной части вычислительной системы и предназначенное для хранения
большого объема данных
|
|
9. Запоминающее
устройство на магнитных сердечниках
ЗУМС
Magnetic core film fmemory
|
-
|
|
10. Запоминающее
устройство на тонких магнитных пленках
ЗУМП
Magnetic thin film memory
|
Запоминающее устройство, в котором
запоминающей средой является тонкий магнитный слой, нанесенный на подложку
|
|
11. Индуктивное
запоминающее устройство
Inductor memory
|
Запоминающее устройство, использующее
индуктивные свойства примененной в нем запоминающей среды
|
|
12. Оптоэлектронное
запоминающее устройство
Optoelectronic memory
|
Запоминающее устройство, в котором
используются свойства светового луча изменять физические состояния
запоминающей среды
|
|
13. Криогенное
запоминающее устройство
Cryogenic memory
|
Запоминающее устройство, в котором
используется свойство сверхпроводимости при низких температурах
|
|
14. Полупроводниковое
запоминающее устройство
Semiconductor memory
|
Запоминающее устройство, в котором
запоминающей средой являются полупроводниковые элементы
|
|
15. Запоминающее
устройство на цилиндрических магнитных пленках
ЗУЦМП
Plated wire memory
|
Запоминающее устройство, в котором
запоминающей средой является тонкая магнитная пленка, нанесенная на
поверхность проволоки
|
|
16. Запоминающее
устройство на цилиндрических магнитных доменах
Magnetic domain device
|
Запоминающее устройство, в котором
запоминающими элементами являются цилиндрические магнитные домены в пластинах
ортоферритов
|
|
17. Конденсаторное
запоминающее устройство
Capacitor memory
|
Запоминающее устройство, использующее
емкостные свойства примененной в нем запоминающей среды
|
|
18. Статическое
запоминающее устройство
Static memory
|
Запоминающее устройство без регенерации данных
при хранении
|
|
19. Динамическое
запоминающее устройство
Dynamic memory
|
Запоминающее устройство с регенерацией данных при
хранении
|
|
20. Энергонезависимое
запоминающее устройство
Nonvolatile memory
|
Запоминающее устройство, содержимое которого
сохраняется при отключенном электропитании
|
|
21. Энергозависимое
запоминающее устройство
Volatile memory
|
Запоминающее устройство, содержимое которого
не сохраняется при отключенном электропитании
|
|
СПОСОБЫ ДОСТУПА К ДАННЫМ, ЗАПИСАННЫМ В
ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ
|
|
22.
Произвольный доступ к данным
Random access
|
Способ доступа к данным, позволяющий
обращаться к ячейкам запоминающего устройства в любой последовательности
|
|
23. Последовательный
доступ к данным
Sequential access
|
Способ доступа к данным, позволяющий
обращаться к ячейкам запоминающего устройства в определенной
последовательности
|
|
24.
Ассоциативный доступ к данным
Associative access
|
Способ доступа к данным, позволяющий
обращаться к ячейкам запоминающего устройства в соответствии с признаками
хранимых в них данных
|
|
25. Системный
доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках
Core (ferrite) memory organization
|
Способ доступа к данным, определяемый системой
организации запоминающего устройства на ферритовых сердечниках,
характеризующийся количеством взаимодействующих адресных или
адресно-разрядных токов.
Примечание. Различают системы 2Д, 21/2Д,
3Д
|
|
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
|
26.
Информационная емкость запоминающего устройства
Емкость
Capacity
|
Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно
может храниться в запоминающем устройстве
|
|
27. Цикл
обращения к запоминающему устройству
Access cycle
|
Минимальный интервал времени между двумя
последовательными доступами к данным запоминающего устройства
|
|
28. Время
выборки данных
Access time
|
Интервал времени между началом операции
считывания и выдачей считанных данных из запоминающего устройства
|
|
29. Время
хранения данных
Storage time
|
Интервал времени, в течение которого запоминающее
устройство в заданном режиме сохраняет данные без регенерации
|
|
30. Скорость
передачи данных из (в) запоминающего (ее) устройства (о)
Data transfer speed
|
Количество данных, считываемых (записываемых)
запоминающим устройством в единицу времени
|
|
РЕЖИМЫ РАБОТЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
|
31. Запись
данных
Write
|
Режим работы запоминающего устройства, в
процессе которого осуществляется занесение данных в запоминающее устройство
|
|
32.
Считывание данных
Read
|
Режим работы запоминающего устройства, в
процессе которого осуществляется получение данных из запоминающего устройства
|
|
33. Считывание
данных с разрушением
Destructive read
|
Режим работы запоминающего устройства, в
процессе которого осуществляется считывание данных, вызывающее их стирание
|
|
34. Считывание
данных без разрушения
Non-destructive read
NDR
|
Режим работы запоминающего устройства, в
процессе которого осуществляется считывание данных, не вызывающее их стирание
|
|
35. Регенерация
данных
Refresh
|
Режим работы запоминающего устройства, в
процессе которого осуществляется перезапись хранящихся данных с целью их
сохранения
|
|
36. Хранение
данных
Holding
|
Режим работы запоминающего устройства после записи
или регенерации данных, обеспечивающий возможность их последующего считывания
в произвольный момент времени
|
|
ОСНОВНЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ
УСТРОЙСТВ
|
|
37. Узел
выборки адреса
Adress unit
|
Функциональный узел запоминающего устройства,
предназначенный для реализации доступа к запоминающей ячейке путем
преобразования кода адреса в соответствующие ему сигналы на входе
запоминающего узла
|
|
38. Запоминающий
узел
Memory unit
|
Функциональный узел запоминающего устройства,
предназначенный для непосредственного хранения данных
|
|
39. Узел
считывания данных
Sensing unit
|
Функциональный узел запоминающего устройства,
предназначенный для преобразования локальных физических состояний
запоминающей среды в электрические сигналы
|
|
40. Узел записи
данных
Writing unit
|
Функциональный узел запоминающего устройства,
предназначенный для преобразования электрических сигналов в локальные
физические состояния запоминающей среды
|
|
ТЕСТЫ КОНТРОЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
|
41. Статический
тест контроля запоминающего устройства
Static test
|
Режим проверки запоминающего устройства, при
котором первоначально записанные данные не меняются
|
|
42.
Тест «Тяжелый код» контроля запоминающего устройства
|
Статический тест контроля запоминающего
устройства, позволяющий получить максимальный сигнал помехи считанного нуля
|
|
43.
Динамический тест контроля запоминающего устройства
Dynamic test
|
Режим проверки запоминающего устройства, при
котором записываемые данные с каждым циклом обращения меняются
|
|
44.
Тест «Дождь» контроля запоминающего устройства
|
Динамический тест контроля запоминающего
устройства, в котором записываемая информация определяется состоянием
двоичного счетчика считанных единиц
|
