| Обозначение: | ГОСТ 20859.1-89 |
| Текущий статус документа: | действующий |
| Название документа рус.: | Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования |
| Название документа англ.: | Power semiconductor devices. General technical requirements |
| Дата актуализации текста: | 01.12.2013 |
| Дата издания: | 07.07.1989 |
| Дата введения: | 01.01.1990 |
| Дата последнего изменения: | 22.05.2013 |
| Заменяющий в части: | в части модулей |
| Область применения: | Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений |
|